铠侠新招 NAND 替代 DRAM

记忆体晶片制造商铠侠控股3日提出计划，将采用强化后的NAND快闪记忆体，作为部分DRAM替代选项，此举有助于该公司深化与辉达等美国科技大厂的连结，并抵御长江存储等陆厂的冲击。

该公司在简报会上，展示运算快取互连（CXL）模组，该零组件是用于应对AI工作需求，可改善NAND的处理速度，目前正交由客户评估。

人工智慧（AI）伺服器配备多种记忆体。用于暂时储存资料的DRAM，读取速度比NAND快，并与中央处理器（CPU）协同处理运算工作。然而，DRAM产能扩充不易，难以跟上日益成长的AI需求，价格也高于用于长期储存的NAND，拖慢AI资料中心的普及速度。

铠侠的CXL模组旨在取代部分DRAM需求。这款模组结合高速NAND与控制器，可把资料读取延迟降至传统NAND产品的十分之一以下，效能接近DRAM。铠侠表示，以CXL模组取代系统中的部分DRAM，可使记忆体容量增加一倍，并将效能提升30%。

铠侠希望借由建立DRAM替代方案，在业界仍高度依赖NAND产品的情况下，抢占部分DRAM需求，以稳定获利基础。

铠侠专注于NAND记忆体，产品线较为单一，更容易受到市场环境变化影响。南韩三星电子、SK海力士，以及美国美光等竞争对手，则同时生产NAND与DRAM。